Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 1800 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 2000 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do módulo Infineon FZ1800R17HP4_B29?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) do módulo é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ1800R17HP4_B29?
A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de encapsulamento e tecnologias deste módulo?
O FZ1800R17HP4_B29 utiliza encapsulamento Press-Pack, possui 2 chaves e é baseado na tecnologia IGBT 4, com baixas perdas de condução e comutação e alta densidade de potência.