Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 1800 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 2000 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) | 2.0 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 500 mA |
| Tensão de gate | emissor Vge(th): 5.5 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação (Tj) | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do módulo Infineon FZ1800R12HP4_B9?
A tensão nominal (Vces) do módulo é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ1800R12HP4_B9?
A faixa de temperatura de operação (Tj) do módulo é de -40°C a +125°C.
Quais as características de encapsulamento e tecnologia do FZ1800R12HP4_B9?
O módulo utiliza tecnologia IGBT 4 e possui encapsulamento Press-Pack.