Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1600 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 1600 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 2400 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) | 2.2 V (típico) |
| Configuração | 6-Switch |
| Package | Module |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Temperatura de operação (Tj) | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FZ1600R16Kl4C?
A tensão nominal (Vces) do módulo de potência IGBT FZ1600R16Kl4C é de 1600 V.
Quais as características do diodo de freio integrado ao FZ1600R16Kl4C?
O FZ1600R16Kl4C possui um diodo de freio rápido (Fast Diode) integrado.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ1600R16Kl4C?
A temperatura de operação (Tj) do FZ1600R16Kl4C varia de -40°C a +125°C.