Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1500 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 3000 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | Module |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (EconoDUAL™ 3)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal do coletor-emissor do FZ1500R33HE3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FZ1500R33HE3 é de 3300 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ1500R33HE3?
O FZ1500R33HE3 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as aplicações típicas do FZ1500R33HE3?
O FZ1500R33HE3 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, utilizando tecnologia IGBT de alta eficiência.