Infineon FZ1400R33HE4

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e de transporte.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e de transporte.

Especificações

Tensão de coletor emissor (Vces): 3300 V
Corrente de coletor contínua (Ic) 1400 A
Corrente de coletor pulsada (Icm) 2800 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 2.4 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 200 mA
Temperatura de operação (Tj) -40 °C a +125 °C
Package Press-Pack
Aplicações Inversores de alta potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do módulo FZ1400R33HE4?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do módulo FZ1400R33HE4 é de 3300 V.

Quais as temperaturas de operação do FZ1400R33HE4?

A temperatura de operação (Tj) do módulo FZ1400R33HE4 varia de -40 °C a +125 °C.

Em quais aplicações o módulo FZ1400R33HE4 é comumente utilizado?

O módulo FZ1400R33HE4 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.

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