Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia robustas.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 4500 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 1200 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 3.0 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FZ1200R45KL3_B5?
O módulo IGBT FZ1200R45KL3_B5 da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 4500 V.
Em quais aplicações o módulo FZ1200R45KL3_B5 é tipicamente utilizado?
O módulo FZ1200R45KL3_B5 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ1200R45KL3_B5?
O módulo FZ1200R45KL3_B5 pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.