Infineon FZ1200R45HL4_S7: Módulo IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O Infineon FZ1200R45HL4_S7 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta potência projetado para aplicações que exigem alto desempenho e confiabilidade. Com tecnologia de ponta e recursos avançados, este componente oferece excelente desempenho em conversores de média tensão, sistemas de energia renovável e acionamentos industriais.
Especificações Técnicas do Infineon FZ1200R45HL4_S7
- Tensão coletor-emissor (VCES): 4500 V
- Corrente de coletor contínua (IC): 1200 A
- Corrente de coletor de pico (ICRM): 2400 A
- Tecnologia Trench/Fieldstop IGBT4 para baixa perda de condução
- Diodo emissor controlado 4 para rápida comutação
- Base de AlSiC para melhor dissipação térmica e maior robustez
- Invólucro IHM-B com isolamento de alta tensão
Recursos e Benefícios do Módulo IGBT
O FZ1200R45HL4_S7 oferece uma série de vantagens para aplicações de alta potência:
- Alta eficiência: A tecnologia IGBT4 e o diodo emissor controlado garantem baixas perdas de energia, resultando em maior eficiência energética.
- Robustez e confiabilidade: O módulo IGBT Infineon é projetado para suportar condições operacionais exigentes, com alta capacidade de curto-circuito e excelente robustez dinâmica.
- Excelente dissipação térmica: A base de AlSiC oferece excelente transferência de calor, permitindo operação em altas temperaturas e prolongando a vida útil do componente.
- Isolamento reforçado: O invólucro IHM-B garante alta isolação entre os componentes, proporcionando maior segurança e confiabilidade.
Aplicações do FZ1200R45HL4_S7
Este módulo IGBT é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Conversores de média tensão para acionamentos de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de energia renovável
- Sistemas de tração ferroviária
- Aplicações industriais como soldagem, aquecimento por indução e fornos a arco
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