Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 4500 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 1200 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 2400 A |
| Tensão de saturação (Vce(sat)) | 2.4 V (típico) |
| Tensão de gate (Vge) | ±20 V |
| Corrente de gate (Ige) | ±200 mA |
| Resistência térmica (RthJC) | 0.02 K/W |
| Package | H-Module |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de coletor-emissor do FZ1200R45HL4?
A tensão nominal de coletor-emissor (Vces) do FZ1200R45HL4 é de 4500 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?
O módulo de potência FZ1200R45HL4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características da tecnologia IGBT utilizada neste módulo?
O FZ1200R45HL4 utiliza tecnologia IGBT 4, oferecendo baixas perdas de condução e chaveamento, alta densidade de potência e isolamento galvânico.