Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, parte da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 2400 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-IGBT com diodo |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico e elétrico
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo Infineon FZ1200R16Kl4C?
A temperatura de operação (Tj) do módulo Infineon FZ1200R16Kl4C varia de -40 °C a +150 °C.
Qual a tensão de coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo?
O módulo Infineon FZ1200R16Kl4C suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1600 V.
Quais as características de condução e comutação do módulo?
O módulo Infineon FZ1200R16Kl4C, com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4, possui baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.