Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia robustas.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1600 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 1200 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FZ1200R16KF4-S1?
O módulo IGBT FZ1200R16KF4-S1 da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1600 V.
Quais as aplicações típicas do módulo FZ1200R16KF4-S1?
Este módulo é projetado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ1200R16KF4-S1?
O módulo FZ1200R16KF4-S1 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.