Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1600 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 1200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Corrente de pico de coletor (Icm) | 2400 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FZ1200R16KF4?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FZ1200R16KF4 é de 1600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ1200R16KF4?
A temperatura de operação (Tj) do FZ1200R16KF4 varia de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do FZ1200R16KF4?
As aplicações típicas do FZ1200R16KF4 incluem inversores de alta potência, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.