Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 4 |
| Diodo de roda livre | Emitter Controlled HE |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 2400 A |
| Perda de energia por chaveamento (Eon/Eoff) | 100 mJ / 80 mJ (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 4000 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT FZ1200R12HE4P suporta?
O módulo IGBT FZ1200R12HE4P suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V e possui tensão de isolamento (Viso) de 4000 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ1200R12HE4P?
O módulo FZ1200R12HE4P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais são as perdas de energia por chaveamento típicas do FZ1200R12HE4P?
As perdas de energia por chaveamento típicas do FZ1200R12HE4P são 100 mJ (Eon) e 80 mJ (Eoff). A corrente de pico do coletor (Icm) é de 2400 A.