Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 4500 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1000 A |
| Package | Module |
| Configuração | 1-phase bridge |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de roda livre rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo módulo FZ1000R45KL3_B5?
O módulo FZ1000R45KL3_B5 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 4500 V.
Em que faixa de temperatura o FZ1000R45KL3_B5 pode operar?
O FZ1000R45KL3_B5 pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as principais características do FZ1000R45KL3_B5?
O FZ1000R45KL3_B5 possui tecnologia IGBT de alta performance, diodo de roda livre rápido integrado, baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.