Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1000 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 2000 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.4 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Perda de condução (Pcond) | 100 W (típico) |
| Perda de chaveamento (Psw) | 150 W (típico) |
| Temperatura de operação da junção (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | HPD (High Power Density) |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolamento galvânico integrado
- Baixa indutância de chaveamento
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FZ1000R33HL3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 3300 V. A temperatura de operação da junção (Tj) varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as principais características de corrente do FZ1000R33HL3?
A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 1000 A e a corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é de 2000 A. A corrente de gate (Ig) é de ±200 mA.
Em quais aplicações o FZ1000R33HL3 é tipicamente utilizado e quais suas principais vantagens?
O FZ1000R33HL3 é projetado para aplicações como inversor solar e sistemas de energia renovável. Suas vantagens incluem isolamento galvânico integrado, baixa indutância de chaveamento, e utiliza a tecnologia IGBT 4.