Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 1000 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 1200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Potência de dissipação (Ptot) | 1200 W |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +125 °C |
| Package | Module |
| Configuração | Half Bridge |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FZ1000R12KF5?
O módulo de potência FZ1000R12KF5 da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FZ1000R12KF5?
O FZ1000R12KF5 opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais aplicações do FZ1000R12KF5?
Projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, o FZ1000R12KF5 utiliza tecnologia IGBT 4, oferecendo baixas perdas de condução e chaveamento, além de alta densidade de potência.