Infineon FS950R08A6P2LB

Avaliado como 5.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre rápido Emitter Controlled 4. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: FS950R08A6P2LB Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre rápido Emitter Controlled 4. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 800 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 950 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 1900 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de roda livre Emitter Controlled 4
Corrente nominal do diodo (If) 950 A
Corrente de pico do diodo (Ifm) 1900 A
Tensão direta do diodo (Vf) 1.75 V (típico)
Tensão gate emissor (Vge): ±20 V
Temperatura de operação -40°C a +150°C
Package HPS (Half-bridge Power Stack)
Número de pinos 10
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FS950R08A6P2LB?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 800 V.

Em quais temperaturas o FS950R08A6P2LB pode operar?

O FS950R08A6P2LB opera em temperaturas de -40°C a +150°C.

Quais são as aplicações típicas do FS950R08A6P2LB?

O FS950R08A6P2LB é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supply) e acionamentos de motor.

Entre em Contato

Carrinho de compras