Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e Emitter Controlled 4 diode. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo | Emitter Controlled 4 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do FS75R12W2T7_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20 V.
Em quais aplicações o FS75R12W2T7_B11 é utilizado?
O FS75R12W2T7_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (fontes de alimentação ininterruptas) e fontes de alimentação industriais.
Quais as especificações térmicas e de corrente do FS75R12W2T7_B11?
A corrente contínua do coletor (Ic) é de 75 A, a resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.35 K/W, e a temperatura de operação varia de -40 °C a 150 °C.