Descrição
Módulo de potência trifásico IGBT com diodo de freio, projetado para aplicações de inversor solar e controle de motor.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 150 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.45 K/W |
| Tensão isolada entre coletor e dissipador (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta velocidade
- Diodo de freio integrado de alta eficiência
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo Infineon FS75R12W2T4B11?
A faixa de temperatura de operação do módulo Infineon FS75R12W2T4B11 é de -40 °C a +125 °C.
Qual a tensão de coletor: emissor (Vces) do FS75R12W2T4B11?
A tensão do coletor: emissor (Vces) do FS75R12W2T4B11 é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo FS75R12W2T4B11?
O FS75R12W2T4B11 é projetado para aplicações de inversor solar e controle de motor. Possui tecnologia IGBT de alta velocidade e diodo de freio integrado de alta eficiência.