Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de frequência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | Trench/Fieldstop |
| Tipo de diodo | Ultrafast Emitter Controlled |
| Número de semicondutores | 6 |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 20 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores de frequência, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores |
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo FS75R12W2T4_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o FS75R12W2T4_B11 pode operar?
O FS75R12W2T4_B11 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FS75R12W2T4_B11?
O FS75R12W2T4_B11 é projetado para aplicações como inversores de frequência, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores.