Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de roda livre | SiC (Carbeto de Silício) |
| Configuração | 3 fases (3-Phase Bridge) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FS75R12N2T7_B15?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo de potência FS75R12N2T7_B15 é de 1200 V.
Em quais aplicações o FS75R12N2T7_B15 é tipicamente utilizado?
O módulo de potência FS75R12N2T7_B15 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e acionamentos de motor.
Qual a temperatura máxima de operação do FS75R12N2T7_B15?
A temperatura de operação do FS75R12N2T7_B15 varia de -40°C a +125°C.