Infineon FS75R12KT4_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 75 A
Tecnologia IGBT Trench/Fieldstop
Tipo de diodo Ultrafast Emitter Controlled
Configuração 6-pack
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 150 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.35 K/W
Temperatura de operação -40 °C a 175 °C
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 15
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação, acionamentos de motor

FAQ

Qual a tensão máxima que o FS75R12KT4_B11 suporta?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.

Em quais aplicações o FS75R12KT4_B11 é tipicamente usado?

O FS75R12KT4_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do FS75R12KT4_B11?

O FS75R12KT4_B11 pode operar em temperaturas de -40 °C a 175 °C.

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