Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS75R12KE3G?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FS75R12KE3G opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FS75R12KE3G?
O FS75R12KE3G possui tecnologia IGBT 7, diodo de freio integrado (Fast Diode) e isolamento galvânico. Ele é um módulo de potência com tensão nominal do coletor de 1200V e corrente nominal de 75A, com package EconoDUAL™ 3.