Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic,R) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente nominal do diodo de roda livre (If) | 75 A |
| Tensão nominal do diodo de roda livre (Vf) | 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FS75R12KE3_B9?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de corrente do módulo?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 75 A, e a corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) é de 50 A. A corrente nominal do diodo de roda livre (If) também é de 75 A.
Qual o tipo de encapsulamento e quais as tecnologias integradas?
O módulo Infineon FS75R12KE3_B9 possui encapsulamento EconoDUAL™ 3 e integra a tecnologia IGBT 4, além de isolamento galvânico.