Descrição
O Infineon FS660R08A6P2FLB é um módulo de potência trifásico IGBT com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT6 e EiceDRIVER™ gate driver integrado, projetado para aplicações de inversores solares e de energia renovável.
Especificações
| Tensão do barramento CC | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal | 660 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT6 |
| Gate Driver Integrado | EiceDRIVER™ |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
| Package | P2-Module |
| Corrente de coletor contínua (Tc=100°C) | 660 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de isolamento | 4000 Vrms |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a corrente nominal e a tensão do barramento CC do FS660R08A6P2FLB?
A corrente nominal do FS660R08A6P2FLB é de 660 A e a tensão do barramento CC é de 1200 V.
Em quais aplicações o FS660R08A6P2FLB é tipicamente utilizado e qual sua faixa de temperatura de operação?
O FS660R08A6P2FLB é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motor. Sua faixa de temperatura de operação é de -40°C a +125°C.
Quais as principais características de tecnologia e componentes do FS660R08A6P2FLB?
O FS660R08A6P2FLB utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT6, possui um Gate Driver integrado EiceDRIVER™, e é configurado como 3-Phase Bridge. A tensão de isolamento é de 4000 Vrms e o pacote é P2-Module.