Descrição
O Infineon FS660R08A6P2FB é um módulo de potência trifásico com tecnologia IGBT, projetado para aplicações de acionamento de motor e inversores solares.
Especificações
| Tensão do barramento DC | 800 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua | 660 A |
| Tecnologia | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
| Configuração | Ponte trifásica |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de isolamento | 4000 Vrms |
| Corrente de pico | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Baixa indutância de stray
- Interface de gate integrada
FAQ
Qual a tensão do barramento DC suportada pelo FS660R08A6P2FB?
O FS660R08A6P2FB suporta uma tensão do barramento DC de 800 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FS660R08A6P2FB opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Qual a tecnologia utilizada no FS660R08A6P2FB e quais são algumas de suas características?
O FS660R08A6P2FB utiliza a tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Ele possui uma baixa indutância de stray e uma interface de gate integrada.