Infineon FS50R17KE3_B17

Avaliado como 4.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação ininterruptas (UPS).

SKU: FS50R17KE3_B17 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação ininterruptas (UPS).

Especificações

Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 50 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.45 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 6
Diodo de roda livre integrado Sim
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do FS50R17KE3_B17?

O módulo IGBT FS50R17KE3_B17 possui uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V e opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.

Quais as características do diodo de roda livre integrado ao FS50R17KE3_B17?

O FS50R17KE3_B17 integra diodos de roda livre e possui uma corrente nominal do coletor (Ic) de 50 A. Sua tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.7 V (típico).

Em que tipo de aplicação o FS50R17KE3_B17 é tipicamente utilizado?

O FS50R17KE3_B17 é projetado para aplicações como inversores solares e fontes de alimentação ininterruptas (UPS). Ele utiliza a tecnologia IGBT Trench Fieldstop e possui package EconoDUAL™ 3.

Entre em Contato

Carrinho de compras