Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia IGBT de alta eficiência, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Máxima de Coletor Contínua (Ic) | 50 A |
| Corrente Máxima de Coletor Pulsada (Icm) | 100 A |
| Tensão Máxima Gate | Emissor (Vgem): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Resistência Térmica Coletor | Emissor (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FS50R12W2T7_B11 pode suportar?
A tensão máxima Coletor-Emissor (Vces) é de 1200 V e a tensão máxima Gate-Emissor (Vgem) é de ±20 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS50R12W2T7_B11?
A faixa de temperatura de operação do FS50R12W2T7_B11 é de -40 °C a +125 °C.
O FS50R12W2T7_B11 possui diodo de roda livre integrado?
Sim, o FS50R12W2T7_B11 possui diodo de roda livre integrado.