Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FS50R12W2T4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 50 A.
Em quais aplicações o FS50R12W2T4_B11 é tipicamente usado?
O FS50R12W2T4_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS50R12W2T4_B11 e qual o tipo de encapsulamento?
A faixa de temperatura de operação do FS50R12W2T4_B11 é de -40 °C a 150 °C. O encapsulamento é EconoDUAL™ 3.