Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6 pacotes de transistores |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™)
- Isolamento galvânico integrado
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS50R12W1T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de isolamento e configuração do módulo?
O FS50R12W1T7_B11 possui isolamento galvânico integrado e é configurado com 6 pacotes de transistores. O package é EconoDUAL™ 3.
Quais as principais tecnologias e características do IGBT utilizado?
O módulo utiliza a tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™) e apresenta baixas perdas de condução e chaveamento. A corrente de gate (Ig) é de 200 nA e a tensão de limiar do gate (VGE(th)) é de 5.5 V (típico).