Infineon FS50R12W1T7

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EasyPACK 1B, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EasyPACK 1B, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 50 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT7
Diodo de roda livre Rapid 1
Package EasyPACK 1B
Número de chaves 6 (3 fases)
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.55 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Temperatura de operação -40 °C a 175 °C
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.5 K/W
Interface de gate 12 V
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

FAQ

Qual a tensão suportada pelo módulo FS50R12W1T7?

O módulo FS50R12W1T7 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V e uma tensão de gate-emissor (Vge) de ±20 V.

Em quais aplicações o FS50R12W1T7 é comumente utilizado?

O FS50R12W1T7 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.

Quais são as especificações de temperatura e interface de gate do FS50R12W1T7?

O módulo FS50R12W1T7 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 175 °C. A interface de gate é de 12 V.

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