Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 20 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS50R12N2T7_B15?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em que faixa de temperatura o FS50R12N2T7_B15 pode operar?
O FS50R12N2T7_B15 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais são algumas aplicações típicas do FS50R12N2T7_B15?
O FS50R12N2T7_B15 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.