Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente nominal do gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS50R12KT4_B15?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as características de temperatura do FS50R12KT4_B15?
O módulo opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C, e a resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.5 K/W.
Quais as principais características do FS50R12KT4_B15?
O FS50R12KT4_B15 utiliza a tecnologia IGBT 4, possui diodo de roda livre integrado, e é conhecido por suas baixas perdas de condução e comutação. É um módulo de potência com 6 componentes em um package EconoDUAL™ 3.