Infineon FS50R12KT3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EasyPACK 3B, projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EasyPACK 3B, projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 50 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 10 mA
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.45 K/W
Package EasyPACK 3B
Número de pinos 15
Faixa de temperatura de operação -40 °C a 150 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de roda livre integrado (FWD)
  • Baixas perdas de condução e comutação

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do Infineon FS50R12KT3?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?

O módulo de potência FS50R12KT3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.

Quais as aplicações típicas do FS50R12KT3?

O FS50R12KT3 é projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável, contando com tecnologia IGBT 4 e um diodo de roda livre (FWD) integrado.

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