Infineon FS500R17OE4D

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família E4D, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família E4D, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 500 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 1000 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate emissor (Ige): ±300 mA
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.04 K/W
Package Press-Pack
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4 E4D
  • Isolamento galvânico integrado
  • Baixas perdas de condução e comutação

FAQ

Qual a tensão nominal suportada pelo módulo FS500R17OE4D?

O módulo FS500R17OE4D possui uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FS500R17OE4D?

A faixa de temperatura de operação do FS500R17OE4D é de -40 °C a +125 °C.

Quais são as principais características do FS500R17OE4D em termos de perdas e isolamento?

O FS500R17OE4D utiliza a tecnologia IGBT 4 E4D, possui isolamento galvânico integrado e apresenta baixas perdas de condução e comutação.

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