Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ 5 e Emitter Controlled 4.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 450 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
| Tecnologia Diode | Emitter Controlled 4 |
| Configuração | 1-half bridge |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | EasyPACK™ 1B |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS450R17OE4?
O módulo FS450R17OE4 suporta uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Quais as temperaturas de operação do FS450R17OE4?
O FS450R17OE4 opera em temperaturas entre -40 °C e +125 °C.
Qual a configuração do FS450R17OE4 e qual sua tecnologia de diodo?
O FS450R17OE4 possui configuração 1-half bridge e utiliza a tecnologia de diodo Emitter Controlled 4.