Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ 5 e Emitter Controlled 4, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 450 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
| Tecnologia de Diodo | Emitter Controlled 4 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.05 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Isolamento | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FS450R12OE4P pode suportar?
O módulo de potência FS450R12OE4P suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS450R12OE4P?
O FS450R12OE4P pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.
Qual o tipo de encapsulamento e número de chaves do FS450R12OE4P?
O FS450R12OE4P possui encapsulamento EconoDUAL™ 3 e contém 2 chaves.