Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (Vge(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª geração
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão suportada pelo IGBT FS450R12KE3?
O IGBT FS450R12KE3 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as características do diodo de freio integrado?
O módulo FS450R12KE3 possui um diodo de freio rápido integrado (Fast Diode).
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FS450R12KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.