Infineon FS3L200R10W3S7F_B11

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Módulo de potência trifásico Infineon com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e diodo Emitter Controlled 7. Projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.

SKU: FS3L200R10W3S7F_B11 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência trifásico Infineon com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e diodo Emitter Controlled 7. Projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7
Diodo Emitter Controlled 7
Configuração Trifásico
Tensão nominal (Vces) 1000 V
Corrente nominal (Ic) 200 A
Package EasyPACK™ 3B
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de coletor contínua (Ic) 200 A a 100°C
Corrente de coletor pulsada (Icm) 400 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.55 V (típico)
Temperatura de operação -40°C a +150°C
Aplicações Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motor
Número de componentes 6x IGBTs, 6x Diodos

FAQ

Qual a tecnologia do módulo FS3L200R10W3S7F_B11?

O módulo FS3L200R10W3S7F_B11 utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e diodos Emitter Controlled 7.

Quais as temperaturas de operação do FS3L200R10W3S7F_B11?

O módulo FS3L200R10W3S7F_B11 opera em temperaturas que variam de -40°C a +150°C.

Quais as aplicações típicas do FS3L200R10W3S7F_B11?

As aplicações típicas do FS3L200R10W3S7F_B11 incluem inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motor.

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