Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 35 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 6ª geração
- Diodo de freio integrado com baixa queda de tensão
- Isolamento galvânico
- Baixa indutância de loop
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FS35R12YT3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do Infineon FS35R12YT3 é de -40 °C a 150 °C.
Quais as características do diodo de freio integrado?
O diodo de freio integrado possui baixa queda de tensão e corrente de fuga reversa (Ir) de 35 A.