Infineon FS35R12W1T4B11

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Módulo de potência trifásico Infineon com tecnologia IGBT, projetado para aplicações de inversor solar e automotivo.

SKU: FS35R12W1T4B11 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência trifásico Infineon com tecnologia IGBT, projetado para aplicações de inversor solar e automotivo.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 35 A
Package EconoDUAL™ 3
Tensão de isolamento 2500 Vrms
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate (VGE(th)) 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) 150 nA
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Aplicações Inversores solares, acionamentos de motor, fontes de alimentação

Recursos

  • Tecnologia IGBT
  • Baixa indutância de stray
  • Interface de gate integrada

FAQ

Qual a tensão de isolamento do módulo FS35R12W1T4B11?

A tensão de isolamento do módulo é de 2500 Vrms.

Quais as aplicações típicas do módulo FS35R12W1T4B11?

As aplicações típicas do módulo FS35R12W1T4B11 incluem inversores solares, acionamentos de motor e fontes de alimentação.

Qual a temperatura de operação do módulo FS35R12W1T4B11?

A temperatura de operação do módulo FS35R12W1T4B11 é de -40 °C a 150 °C.

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