Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.5 K/W |
| Isolamento galvânico | 2500 Vrms |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo módulo FS35R12W1T4_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS35R12W1T4_B11?
O módulo FS35R12W1T4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Quais as características principais do FS35R12W1T4_B11?
O FS35R12W1T4_B11 é um módulo de potência IGBT com tecnologia IGBT 4 e diodo de freio integrado (Fast Diode), com encapsulamento EconoDUAL™ 3, tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.7 V (típico), corrente contínua do coletor (Ic) de 35 A, tensão de gate (Vge) de ±20 V, corrente de gate (Ig) de 200 mA, resistência térmica junção-caixa (RthJC) de 0.5 K/W e isolamento galvânico de 2500 Vrms.