Infineon FS35R12KE3G

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 35 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate emissor (Ige): ±200 mA
Package EconoDUAL™ 3
Configuração 3-fase Ponte Retificadora
Temperatura de operação -40°C a 150°C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
  • Baixa perda de condução e comutação

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FS35R12KE3G?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FS35R12KE3G é de 1200 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FS35R12KE3G?

O FS35R12KE3G é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.

Qual a faixa de temperatura de operação do FS35R12KE3G?

A temperatura de operação do FS35R12KE3G varia de -40°C a 150°C.

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