Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Baixa indutância de gate
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FS25R12W1T4B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em que faixa de temperatura o FS25R12W1T4B11 pode operar?
O módulo de potência FS25R12W1T4B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do FS25R12W1T4B11?
O FS25R12W1T4B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação.