Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Configuração de meio ponte (Half | bridge) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração
- Diodo de roda livre rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS25R12W1T4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FS25R12W1T4_B11?
O FS25R12W1T4_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Fontes de Alimentação Ininterruptas) e fontes de alimentação industriais.
Quais características de desempenho o FS25R12W1T4_B11 oferece?
O FS25R12W1T4_B11 possui baixas perdas de condução e comutação, além de um diodo de roda livre rápido integrado e isolamento galvânico. Ele utiliza tecnologia IGBT de 7ª geração.