Descrição
Módulo de potência IGBT de 1200V com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de transistores | 6 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo FS25R12KT3?
O FS25R12KT3 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS25R12KT3?
A temperatura de operação (Tj) do FS25R12KT3 varia de -40 a +150 °C.
Em quais tipos de aplicações o FS25R12KT3 pode ser utilizado?
O FS25R12KT3 é projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência. Ele integra um diodo de freio rápido (Fast Diode) e utiliza tecnologia IGBT de alta performance.