Descrição
Módulo de potência trifásico Infineon com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3 e diodo de roda livre Emitter Controlled 3. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 225 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
| Diodo de roda livre | Emitter Controlled 3 |
| Número de fases | Trifásico |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 450 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Package | Module |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.25 K/W |
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente do módulo Infineon FS225R17KE3?
O módulo Infineon FS225R17KE3 possui uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V e uma corrente nominal do coletor (Ic) de 225 A.
Quais as características da tecnologia IGBT e do diodo de roda livre deste módulo?
Este módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3 e um diodo de roda livre Emitter Controlled 3. É um módulo de potência trifásico.
Qual a faixa de temperatura de operação e a resistência térmica do FS225R17KE3?
O módulo Infineon FS225R17KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 150°C. Sua resistência térmica junção-caixa (RthJC) é de 0.25 K/W.