Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 225 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
| Diodo de roda livre | SiC (Carbeto de Silício) |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, R) | 2 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 175 °C |
| Número de chaves | 2 |
| Isolamento galvânico | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FS225R12OE4P pode suportar?
O módulo IGBT FS225R12OE4P possui uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o FS225R12OE4P pode operar?
O FS225R12OE4P foi projetado para operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a 175 °C.
Quais as características do diodo de roda livre integrado ao FS225R12OE4P?
O FS225R12OE4P possui um diodo de roda livre de Carbeto de Silício (SiC) integrado.