Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia IGBT de 1200V, projetado para aplicações de alta eficiência em sistemas de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 225 A |
| Tecnologia | IGBT4 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Diodo integrado | Sim (Fast Diode) |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FS225R12OE4?
O módulo FS225R12OE4 da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo FS225R12OE4 pode ser utilizado?
O módulo FS225R12OE4 é projetado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação industriais.
Qual a temperatura de operação do módulo FS225R12OE4?
O módulo FS225R12OE4 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.