Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 225 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente nominal do gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolado
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS225R12KT3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FS225R12KT3 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FS225R12KT3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Qual o package e o número de chaves do FS225R12KT3?
O FS225R12KT3 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e possui 2 chaves.