Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente máxima do gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.31 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS200R12KT4R?
O módulo IGBT FS200R12KT4R opera com tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS200R12KT4R?
A temperatura de operação da junção do FS200R12KT4R varia de -40°C a +150°C.
Quais as principais características do FS200R12KT4R?
O FS200R12KT4R possui tecnologia IGBT 4, diodo de roda livre integrado (Fast Diode), isolamento galvânico e é encapsulado em EconoDUAL™ 3.